H5TQ4G63AFR-H9C vs H5TQ4G63EFR-RDC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5TQ4G63AFR-H9C por SK hynix y H5TQ4G63EFR-RDC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5TQ4G63AFR-H9C | H5TQ4G63EFR-RDC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,50 | $12,30 |
| Tipo de memoria | DDR3 SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 512M x 8 |
| Tensión de alimentación | 1.5 V | — |
| Clock Speed (tCK) | 0.255 ns | — |
| Encapsulado | 96-ball TFBGA | FBGA-96 |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Temperature Grade | OTHER | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Velocidad de datos | 3.9 Gbps per pin (approx) | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Tamaño de memoria | — | 4 Gbit |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.425 V to 1.575 V (1.5 V typ.) |
| Clock Rate | — | 1.066 GHz class |
| Temperatura de funcionamiento | — | 0C to +95C (RDC grade) |
| Interfaz | — | DDR3 (parallel, JEDEC DDR3 command interface) |
| Data Mask | — | Yes (DM function) |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| Manufacturer | — | SK hynix (Hynix Semiconductor) |