H5TQ4G63AFR-H9C vs H5TQ4G63EFR-RDC 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5TQ4G63AFR-H9C 제조: SK hynix 및 H5TQ4G63EFR-RDC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5TQ4G63AFR-H9C H5TQ4G63AFR-H9C - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TQ4G63AFR-H9C - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TQ4G63AFR-H9C ✓ 활성
SK hynix
H5TQ4G63EFR-RDC H5TQ4G63EFR-RDC - 4Gb DDR3 SDRAM, 1.5V FBGA-96 | SK hynix

H5TQ4G63EFR-RDC - 4Gb DDR3 SDRAM, 1.5V FBGA-96 | SK hynix

H5TQ4G63EFR-RDC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5TQ4G63AFR-H9C H5TQ4G63EFR-RDC
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $6.50 $12.30
메모리 유형 DDR3 SDRAM DDR3 SDRAM
Density 4 Gb —
메모리 구성 256M x 16 512M x 8
공급 전압 1.5 V —
Clock Speed (tCK) 0.255 ns —
패키지 96-ball TFBGA FBGA-96
Package Shape RECTANGULAR —
Refresh Cycles 8192 —
Number of Terminals 96 —
Temperature Grade OTHER —
RoHS Compliant —
할로겐 프리 Yes —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
데이터 속도 3.9 Gbps per pin (approx) —
Ball Pitch 0.8 mm —
메모리 크기 — 4 Gbit
Supply Voltage (VDD) — 1.425 V to 1.575 V (1.5 V typ.)
Clock Rate — 1.066 GHz class
동작 온도 — 0C to +95C (RDC grade)
인터페이스 — DDR3 (parallel, JEDEC DDR3 command interface)
Data Mask — Yes (DM function)
On-Chip Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
RoHS 상태 — Compliant
Manufacturer — SK hynix (Hynix Semiconductor)

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