H5TQ4G63AFR-H9C vs H5TQ4G63EFR-RDC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5TQ4G63AFR-H9C par SK hynix et H5TQ4G63EFR-RDC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5TQ4G63AFR-H9C | H5TQ4G63EFR-RDC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $12,30 |
| Type de mémoire | DDR3 SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 512M x 8 |
| Tension d'alimentation | 1.5 V | — |
| Clock Speed (tCK) | 0.255 ns | — |
| Boîtier | 96-ball TFBGA | FBGA-96 |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Temperature Grade | OTHER | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Débit de données | 3.9 Gbps per pin (approx) | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Taille de mémoire | — | 4 Gbit |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.425 V to 1.575 V (1.5 V typ.) |
| Clock Rate | — | 1.066 GHz class |
| Température de fonctionnement | — | 0C to +95C (RDC grade) |
| Interface | — | DDR3 (parallel, JEDEC DDR3 command interface) |
| Data Mask | — | Yes (DM function) |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Manufacturer | — | SK hynix (Hynix Semiconductor) |