H9JCNNNBK3MLYR-N6E vs H9JCNNNBK3MLYR-N6E-SK Comparación

Comparación detallada lado a lado de H9JCNNNBK3MLYR-N6E por SK hynix y H9JCNNNBK3MLYR-N6E-SK por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H9JCNNNBK3MLYR-N6E H9JCNNNBK3MLYR-N6E - 16Gb LPDDR5-6400 SDRAM | SK Hynix

H9JCNNNBK3MLYR-N6E - 16Gb LPDDR5-6400 SDRAM | SK Hynix

H9JCNNNBK3MLYR-N6E ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H9JCNNNBK3MLYR-N6E H9JCNNNBK3MLYR-N6E-SK
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $24,37 $20,85
Tipo de memoria LPDDR5 SDRAM Volatile - DRAM (LPDDR5 SDRAM)
Density 16 Gb (2 GB) 16 Gb (2 GB)
Organización de memoria 512M x 32 512M x 32
Velocidad de datos 6400 Mbps per pin 6400 Mbps (LPDDR5-6400)
Supply Voltage (VDD2) 1.05 V —
Supply Voltage (VDD1) [DATA_NEEDED: VDD1 rail voltage] —
Supply Voltage (VDDQ) [DATA_NEEDED: VDDQ rail voltage] —
Encapsulado TFBGA-315 315-ball TFBGA (12 x 12 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Number of Channels Dual channel (x16 + x16) —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +125C
Estado RoHS Compliant Compliant
Memory Technology DRAM (volatile) —
Refresh Mode [DATA_NEEDED: refresh mode support] —
On-Die Termination [DATA_NEEDED: ODT support] —
Bank Architecture [DATA_NEEDED: bank group configuration] —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Bus Width — 16-bit
Channel Architecture — Dual-channel (per datasheet family)
VDD (Core Supply) — 1.05 V (range 1.01 V to 1.12 V)
VDDQ (I/O Supply) — 1.8 V (range 1.7 V to 1.95 V)
JEDEC Standard — JESD209-5 (LPDDR5)
On-die ECC — Yes (per LPDDR5 base spec)

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