H9JCNNNBK3MLYR-N6E vs H9JCNNNBK3MLYR-N6E-SK 비교
다음의 상세 나란히 비교: H9JCNNNBK3MLYR-N6E 제조: SK hynix 및 H9JCNNNBK3MLYR-N6E-SK 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
SK hynix
H9JCNNNBK3MLYR-N6E-SK - 16Gb LPDDR5-6400 SDRAM | SK Hynix | TFBGA-315
H9JCNNNBK3MLYR-N6E-SK ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | H9JCNNNBK3MLYR-N6E | H9JCNNNBK3MLYR-N6E-SK |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $24.37 | $20.85 |
| 메모리 유형 | LPDDR5 SDRAM | Volatile - DRAM (LPDDR5 SDRAM) |
| Density | 16 Gb (2 GB) | 16 Gb (2 GB) |
| 메모리 구성 | 512M x 32 | 512M x 32 |
| 데이터 속도 | 6400 Mbps per pin | 6400 Mbps (LPDDR5-6400) |
| Supply Voltage (VDD2) | 1.05 V | — |
| Supply Voltage (VDD1) | [DATA_NEEDED: VDD1 rail voltage] | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | [DATA_NEEDED: VDDQ rail voltage] | — |
| 패키지 | TFBGA-315 | 315-ball TFBGA (12 x 12 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Number of Channels | Dual channel (x16 + x16) | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55C to +125C |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Memory Technology | DRAM (volatile) | — |
| Refresh Mode | [DATA_NEEDED: refresh mode support] | — |
| On-Die Termination | [DATA_NEEDED: ODT support] | — |
| Bank Architecture | [DATA_NEEDED: bank group configuration] | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Bus Width | — | 16-bit |
| Channel Architecture | — | Dual-channel (per datasheet family) |
| VDD (Core Supply) | — | 1.05 V (range 1.01 V to 1.12 V) |
| VDDQ (I/O Supply) | — | 1.8 V (range 1.7 V to 1.95 V) |
| JEDEC Standard | — | JESD209-5 (LPDDR5) |
| On-die ECC | — | Yes (per LPDDR5 base spec) |