H9JCNNNBK3MLYR-N6E vs H9JCNNNBK3MLYR-N6E-SK Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H9JCNNNBK3MLYR-N6E par SK hynix et H9JCNNNBK3MLYR-N6E-SK par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H9JCNNNBK3MLYR-N6E H9JCNNNBK3MLYR-N6E - 16Gb LPDDR5-6400 SDRAM | SK Hynix

H9JCNNNBK3MLYR-N6E - 16Gb LPDDR5-6400 SDRAM | SK Hynix

H9JCNNNBK3MLYR-N6E ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H9JCNNNBK3MLYR-N6E H9JCNNNBK3MLYR-N6E-SK
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $24,37 $20,85
Type de mémoire LPDDR5 SDRAM Volatile - DRAM (LPDDR5 SDRAM)
Density 16 Gb (2 GB) 16 Gb (2 GB)
Organisation de la mémoire 512M x 32 512M x 32
Débit de données 6400 Mbps per pin 6400 Mbps (LPDDR5-6400)
Supply Voltage (VDD2) 1.05 V —
Supply Voltage (VDD1) [DATA_NEEDED: VDD1 rail voltage] —
Supply Voltage (VDDQ) [DATA_NEEDED: VDDQ rail voltage] —
Boîtier TFBGA-315 315-ball TFBGA (12 x 12 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Number of Channels Dual channel (x16 + x16) —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +125C
Statut RoHS Compliant Compliant
Memory Technology DRAM (volatile) —
Refresh Mode [DATA_NEEDED: refresh mode support] —
On-Die Termination [DATA_NEEDED: ODT support] —
Bank Architecture [DATA_NEEDED: bank group configuration] —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Bus Width — 16-bit
Channel Architecture — Dual-channel (per datasheet family)
VDD (Core Supply) — 1.05 V (range 1.01 V to 1.12 V)
VDDQ (I/O Supply) — 1.8 V (range 1.7 V to 1.95 V)
JEDEC Standard — JESD209-5 (LPDDR5)
On-die ECC — Yes (per LPDDR5 base spec)

Fiches techniques et ressources

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