H9JCNNNBK3MLYR-N6E vs H9JCNNNBK3MLYR-N6E-SK 比較

詳細な並列比較: H9JCNNNBK3MLYR-N6E メーカー: SK hynix および H9JCNNNBK3MLYR-N6E-SK メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H9JCNNNBK3MLYR-N6E H9JCNNNBK3MLYR-N6E - 16Gb LPDDR5-6400 SDRAM | SK Hynix

H9JCNNNBK3MLYR-N6E - 16Gb LPDDR5-6400 SDRAM | SK Hynix

H9JCNNNBK3MLYR-N6E ✓ 生産中
SK hynix
H9JCNNNBK3MLYR-N6E-SK H9JCNNNBK3MLYR-N6E-SK - 16Gb LPDDR5-6400 SDRAM | SK Hynix | TFBGA-315

H9JCNNNBK3MLYR-N6E-SK - 16Gb LPDDR5-6400 SDRAM | SK Hynix | TFBGA-315

H9JCNNNBK3MLYR-N6E-SK ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H9JCNNNBK3MLYR-N6E H9JCNNNBK3MLYR-N6E-SK
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $24.37 $20.85
メモリタイプ LPDDR5 SDRAM Volatile - DRAM (LPDDR5 SDRAM)
Density 16 Gb (2 GB) 16 Gb (2 GB)
メモリ構成 512M x 32 512M x 32
データレート 6400 Mbps per pin 6400 Mbps (LPDDR5-6400)
Supply Voltage (VDD2) 1.05 V —
Supply Voltage (VDD1) [DATA_NEEDED: VDD1 rail voltage] —
Supply Voltage (VDDQ) [DATA_NEEDED: VDDQ rail voltage] —
パッケージ TFBGA-315 315-ball TFBGA (12 x 12 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Number of Channels Dual channel (x16 + x16) —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +125C
RoHS ステータス Compliant Compliant
Memory Technology DRAM (volatile) —
Refresh Mode [DATA_NEEDED: refresh mode support] —
On-Die Termination [DATA_NEEDED: ODT support] —
Bank Architecture [DATA_NEEDED: bank group configuration] —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Bus Width — 16-bit
Channel Architecture — Dual-channel (per datasheet family)
VDD (Core Supply) — 1.05 V (range 1.01 V to 1.12 V)
VDDQ (I/O Supply) — 1.8 V (range 1.7 V to 1.95 V)
JEDEC Standard — JESD209-5 (LPDDR5)
On-die ECC — Yes (per LPDDR5 base spec)

データシート&リソース

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