IAUA180N04S5N012AUMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUA180N04S5N012AUMA1 por Infineon y IAUCN04S7N019GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUA180N04S5N012AUMA1 IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUA180N04S5N012AUMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,96 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUA180N04S5N012AUMA1 —
Series OptiMOS-5 40 V —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 180 A (Tc) —
Maximum Power Dissipation (PD) 125 W (Tc) —
R_DS(on) (max) 1.2 mΩ at 10 V VGS —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Encapsulado PG-HSOF-5-2 (sTOLL, MO-319A / HSOF-5), 7x8 mm² PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C (Tj) [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]
Technology OptiMOS-5 Trench —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (per family datasheet)
Estado RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 7
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización