IAUA180N04S5N012AUMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IAUA180N04S5N012AUMA1 от Infineon и IAUCN04S7N019GATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon
IAUA180N04S5N012AUMA1 ✓ АктивенInfineon
IAUCN04S7N019GATMA1 - 40V OptiMOS 7 N-FET, 1.95 mOhm SSO4G | Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IAUA180N04S5N012AUMA1 | IAUCN04S7N019GATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,96 | $0,82 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IAUA180N04S5N012AUMA1 | — |
| Series | OptiMOS-5 40 V | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 180 A (Tc) | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) | 125 W (Tc) | — |
| R_DS(on) (max) | 1.2 mΩ at 10 V VGS | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Корпус | PG-HSOF-5-2 (sTOLL, MO-319A / HSOF-5), 7x8 mm² | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Диапазон рабочих температур | -55 °C to +175 °C (Tj) | [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] |
| Technology | OptiMOS-5 Trench | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 (per family datasheet) |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | — | 147 A |
| On-Resistance RDS(on) typical | — | 1.95 mOhm |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | — | 81 W |
| Substrate Compatibility | — | IMS substrates and legacy PCB |
| Lead-Free | — | Yes |
| Tape and Reel Packaging | — | Yes (per ATMA1 suffix) |