IAUA180N04S5N012AUMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUA180N04S5N012AUMA1 メーカー: Infineon および IAUCN04S7N019GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUA180N04S5N012AUMA1 IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUA180N04S5N012AUMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.96 $0.82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUA180N04S5N012AUMA1 —
Series OptiMOS-5 40 V —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 180 A (Tc) —
Maximum Power Dissipation (PD) 125 W (Tc) —
R_DS(on) (max) 1.2 mΩ at 10 V VGS —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
パッケージ PG-HSOF-5-2 (sTOLL, MO-319A / HSOF-5), 7x8 mm² PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C (Tj) [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]
Technology OptiMOS-5 Trench —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (per family datasheet)
RoHS ステータス Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 7
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)

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