IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUCN10S5L280DATMA1 por Infineon y IAUC60N04S6L030HATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUCN10S5L280DATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,62 $0,94
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array Half-Bridge (2 N-Channel)
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
Encapsulado PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) —
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (junction) —
Recuento de pines 8 —
Nivel MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Estado RoHS Compliant Compliant
Packing Tape & Reel (T&R) —
Part Series — OptiMOS 6
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TJ — 60 A
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V — 3.0 mOhm (typical)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 35 nC
Output Capacitance (Coss) — 2.128 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 596 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V
Maximum Power Dissipation (PD) at TC — 75 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 C to +175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per part number suffix)

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