IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN10S5L280DATMA1 par Infineon et IAUC60N04S6L030HATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN10S5L280DATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,62 $0,94
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array Half-Bridge (2 N-Channel)
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
Boîtier PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) —
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) —
Nombre de broches 8 —
Niveau MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS Compliant Compliant
Packing Tape & Reel (T&R) —
Part Series — OptiMOS 6
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TJ — 60 A
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V — 3.0 mOhm (typical)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 35 nC
Output Capacitance (Coss) — 2.128 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 596 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V
Maximum Power Dissipation (PD) at TC — 75 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per part number suffix)

Fiches techniques et ressources

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