IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN10S5L280DATMA1 por Infineon e IAUC60N04S6L030HATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN10S5L280DATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,62 $0,94
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array Half-Bridge (2 N-Channel)
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) —
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) —
Contagem de pinos 8 —
Nível MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Status RoHS Compliant Compliant
Packing Tape & Reel (T&R) —
Part Series — OptiMOS 6
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TJ — 60 A
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V — 3.0 mOhm (typical)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 35 nC
Output Capacitance (Coss) — 2.128 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 596 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V
Maximum Power Dissipation (PD) at TC — 75 W
Temperatura de junção de operação — -55 C to +175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per part number suffix)

Fichas técnicas e recursos

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