IGLR70R270D2SXUMA1 vs IPT022N10NF2SATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IGLR70R270D2SXUMA1 por Infineon y IPT022N10NF2SATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IGLR70R270D2SXUMA1 IPT022N10NF2SATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,13 $0,99
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN™ G5 StrongIRFET 2
Technology Gallium Nitride (GaN) HEMT, enhancement-mode Trench MOSFET
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 700 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 7.3 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 28 W —
On-State Resistance (RDS(on), typ.) 270 mΩ —
Encapsulado PG-TSON-8-8 (ThinPAK) PG-HSOF-8-10 (8 leads + tab)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Gate Drive 0 to 12 V (enhancement-mode, internal gate diode) —
Wafer Process 200 mm (8-inch) GaN-on-Si —
Estado RoHS Compliant Compliant
Rango de temperatura de funcionamiento -40C to +150C (junction) -55C to +175C
Reverse Recovery Charge (Qrr) 0 nC (no body diode) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 236 A
Typical RDS(on) at VGS=10V — 2.2 mΩ
Power Dissipation at Ta — 3.8 W
Power Dissipation at Tc — 250 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]

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