IGLR70R270D2SXUMA1 vs IPT022N10NF2SATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IGLR70R270D2SXUMA1 par Infineon et IPT022N10NF2SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IGLR70R270D2SXUMA1 IPT022N10NF2SATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,13 $0,99
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN™ G5 StrongIRFET 2
Technology Gallium Nitride (GaN) HEMT, enhancement-mode Trench MOSFET
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 700 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 7.3 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 28 W —
On-State Resistance (RDS(on), typ.) 270 mΩ —
Boîtier PG-TSON-8-8 (ThinPAK) PG-HSOF-8-10 (8 leads + tab)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Gate Drive 0 to 12 V (enhancement-mode, internal gate diode) —
Wafer Process 200 mm (8-inch) GaN-on-Si —
Statut RoHS Compliant Compliant
Plage de température de fonctionnement -40C to +150C (junction) -55C to +175C
Reverse Recovery Charge (Qrr) 0 nC (no body diode) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 236 A
Typical RDS(on) at VGS=10V — 2.2 mΩ
Power Dissipation at Ta — 3.8 W
Power Dissipation at Tc — 250 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]

Fiches techniques et ressources

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