IGLR70R270D2SXUMA1 vs IPT022N10NF2SATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IGLR70R270D2SXUMA1 por Infineon e IPT022N10NF2SATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IGLR70R270D2SXUMA1 IPT022N10NF2SATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,13 $0,99
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN™ G5 StrongIRFET 2
Technology Gallium Nitride (GaN) HEMT, enhancement-mode Trench MOSFET
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 700 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 7.3 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 28 W —
On-State Resistance (RDS(on), typ.) 270 mΩ —
Encapsulamento PG-TSON-8-8 (ThinPAK) PG-HSOF-8-10 (8 leads + tab)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Gate Drive 0 to 12 V (enhancement-mode, internal gate diode) —
Wafer Process 200 mm (8-inch) GaN-on-Si —
Status RoHS Compliant Compliant
Faixa de temperatura de operação -40C to +150C (junction) -55C to +175C
Reverse Recovery Charge (Qrr) 0 nC (no body diode) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 236 A
Typical RDS(on) at VGS=10V — 2.2 mΩ
Power Dissipation at Ta — 3.8 W
Power Dissipation at Tc — 250 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]

Fichas técnicas e recursos

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