IGLR70R270D2SXUMA1 vs IPT022N10NF2SATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IGLR70R270D2SXUMA1 von Infineon und IPT022N10NF2SATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IGLR70R270D2SXUMA1 IPT022N10NF2SATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,13 $0,99
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN™ G5 StrongIRFET 2
Technology Gallium Nitride (GaN) HEMT, enhancement-mode Trench MOSFET
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 700 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 7.3 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 28 W —
On-State Resistance (RDS(on), typ.) 270 mΩ —
Gehäuse PG-TSON-8-8 (ThinPAK) PG-HSOF-8-10 (8 leads + tab)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Gate Drive 0 to 12 V (enhancement-mode, internal gate diode) —
Wafer Process 200 mm (8-inch) GaN-on-Si —
RoHS-Status Compliant Compliant
Betriebstemperaturbereich -40C to +150C (junction) -55C to +175C
Reverse Recovery Charge (Qrr) 0 nC (no body diode) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 236 A
Typical RDS(on) at VGS=10V — 2.2 mΩ
Power Dissipation at Ta — 3.8 W
Power Dissipation at Tc — 250 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]

Datenblätter & Ressourcen

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