IPB020N10N5LFATMA1 vs IPB020N10N5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPB020N10N5LFATMA1 por Infineon y IPB020N10N5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPB020N10N5LFATMA1 IPB020N10N5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,62 $3,30
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 Linear FET —
Technology N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (Tc) 176 A —
Silicon-Limited Drain Current 289 A —
Package-Limited Drain Current 120 A —
Pulsed Drain Current (VDS=56V, tp=10ms) 10.2 A —
On-State Resistance RDS(on) max 2.0 mΩ —
Total Power Dissipation (Tc) 313 W —
Encapsulado PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO263-3 (D2PAK-3)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C -55C to +175C
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V —
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 —
Marking Code 020N10LF —
Part Number — IPB020N10N5ATMA1
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 120 A
Maximum Drain Current (ID max, per Infineon product page) — 176 A
On-Resistance RDS(on) max — 2 mΩ
Power Dissipation (PD) at Tc — 375 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Channel Type — N-Channel
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix)

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización