IPB020N10N5LFATMA1 vs IPB020N10N5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB020N10N5LFATMA1 por Infineon e IPB020N10N5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB020N10N5LFATMA1 IPB020N10N5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,62 $3,30
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 Linear FET —
Technology N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (Tc) 176 A —
Silicon-Limited Drain Current 289 A —
Package-Limited Drain Current 120 A —
Pulsed Drain Current (VDS=56V, tp=10ms) 10.2 A —
On-State Resistance RDS(on) max 2.0 mΩ —
Total Power Dissipation (Tc) 313 W —
Encapsulamento PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO263-3 (D2PAK-3)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C -55C to +175C
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 —
Marking Code 020N10LF —
Part Number — IPB020N10N5ATMA1
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 120 A
Maximum Drain Current (ID max, per Infineon product page) — 176 A
On-Resistance RDS(on) max — 2 mΩ
Power Dissipation (PD) at Tc — 375 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Channel Type — N-Channel
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix)

Fichas técnicas e recursos

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