IPB020N10N5LFATMA1 vs IPB020N10N5ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPB020N10N5LFATMA1 от Infineon и IPB020N10N5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IPB020N10N5LFATMA1 - 100V 176A 2mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon
IPB020N10N5LFATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IPB020N10N5LFATMA1 | IPB020N10N5ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,62 | $3,30 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 Linear FET | — |
| Technology | N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 176 A | — |
| Silicon-Limited Drain Current | 289 A | — |
| Package-Limited Drain Current | 120 A | — |
| Pulsed Drain Current (VDS=56V, tp=10ms) | 10.2 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 2.0 mΩ | — |
| Total Power Dissipation (Tc) | 313 W | — |
| Корпус | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO263-3 (D2PAK-3) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Диапазон рабочих температур | -55 °C to +175 °C | -55C to +175C |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.5 V | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Уровень MSL | 1 | — |
| Marking Code | 020N10LF | — |
| Part Number | — | IPB020N10N5ATMA1 |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 120 A |
| Maximum Drain Current (ID max, per Infineon product page) | — | 176 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 2 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 375 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Packaging | — | Tape & Reel (ATMA1 suffix) |