IPB020N10N5LFATMA1 vs IPB020N10N5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB020N10N5LFATMA1 par Infineon et IPB020N10N5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB020N10N5LFATMA1 IPB020N10N5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,62 $3,30
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 Linear FET —
Technology N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (Tc) 176 A —
Silicon-Limited Drain Current 289 A —
Package-Limited Drain Current 120 A —
Pulsed Drain Current (VDS=56V, tp=10ms) 10.2 A —
On-State Resistance RDS(on) max 2.0 mΩ —
Total Power Dissipation (Tc) 313 W —
Boîtier PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO263-3 (D2PAK-3)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C -55C to +175C
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 —
Marking Code 020N10LF —
Part Number — IPB020N10N5ATMA1
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 120 A
Maximum Drain Current (ID max, per Infineon product page) — 176 A
On-Resistance RDS(on) max — 2 mΩ
Power Dissipation (PD) at Tc — 375 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Channel Type — N-Channel
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix)

Fiches techniques et ressources

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