IPB200N25N3GATMA1 vs IPB120P04P4L03ATMA2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPB200N25N3GATMA1 por Infineon y IPB120P04P4L03ATMA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPB200N25N3GATMA1 IPB120P04P4L03ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,65 $1,74
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 3 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Encapsulado PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Drain-Source Voltage (V_DS) 250 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 64 A —
Power Dissipation (P_D) at T_C 300 W —
R_DS(on) max at V_GS=10V 20 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max] —
Technology OptiMOS 3 (Trench) —
Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: Q_g typical] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C —
Estado RoHS Compliant Compliant (per Infineon product page)
Sin halógenos Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet) —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Recuento de pines 3 (2+tab) 3 (Gate, Drain, Source)
Transistor Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 120 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 136 W
On-Resistance (RDS(on)) — 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary)
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +175C
Technology Family — OptiMOS-P2
Configuration — Single P-Channel MOSFET

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