IPB200N25N3GATMA1 vs IPB120P04P4L03ATMA2 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPB200N25N3GATMA1 제조: Infineon 및 IPB120P04P4L03ATMA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | IPB200N25N3GATMA1 | IPB120P04P4L03ATMA2 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.65 | $1.74 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS 3 | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| 패키지 | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 250 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | 64 A | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | 300 W | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 20 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max] | — |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench) | — |
| Gate Charge (Q_g) | [DATA_NEEDED: Q_g typical] | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +175C | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant (per Infineon product page) |
| 할로겐 프리 | Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet) | — |
| MSL 레벨 | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| 핀 수 | 3 (2+tab) | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Transistor Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 120 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 136 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] |
| 동작 접합 온도 | — | -55C to +175C |
| Technology Family | — | OptiMOS-P2 |
| Configuration | — | Single P-Channel MOSFET |