IPB200N25N3GATMA1 vs IPB120P04P4L03ATMA2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPB200N25N3GATMA1 par Infineon et IPB120P04P4L03ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPB200N25N3GATMA1 | IPB120P04P4L03ATMA2 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,65 | $1,74 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS 3 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Boîtier | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 250 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | 64 A | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | 300 W | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 20 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max] | — |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench) | — |
| Gate Charge (Q_g) | [DATA_NEEDED: Q_g typical] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (per Infineon product page) |
| Sans halogène | Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet) | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Nombre de broches | 3 (2+tab) | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Transistor Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 120 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 136 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Technology Family | — | OptiMOS-P2 |
| Configuration | — | Single P-Channel MOSFET |