IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPB65R041CFD7ATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de IPB60R040CFD7ATMA1 por Infineon y IPB65R041CFD7ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 - 600V 50A 40mΩ CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | IPB60R040CFD7ATMA1 | IPB65R041CFD7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $5,19 | $2,92 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolMOS CFD7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET | CoolMOS CFD7 superjunction N-channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 40 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 4 V | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Disipación de potencia (TC=25°C) | 227 W | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55°C to +150°C | — |
| Encapsulado | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Integrated Body Diode | Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode | — |
| Nivel MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Target Applications | Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS max) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) | — | 50 A |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | — | 41 mΩ |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25°C) | — | 227 W |
| Gate-Source Voltage (V_GS) | — | ±20 V (max) |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) | — | 4.5 V |
| Total Gate Charge (Q_G typ) | — | [DATA_NEEDED: Q_G value] |
| Body Diode Reverse Recovery (Q_rr) | — | [DATA_NEEDED: Q_rr value] |
| Temperatura de unión de funcionamiento | — | -55°C to +150°C |
| Recuento de pines | — | 3 (Gate / Drain / Source, tab = Drain) |
| Sin halógenos | — | Yes |
| Series | — | CoolMOS™ CFD7 |