IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPB65R041CFD7ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPB60R040CFD7ATMA1 제조: Infineon 및 IPB65R041CFD7ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPB60R040CFD7ATMA1 IPB65R041CFD7ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $5.19 $2.92
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS CFD7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET CoolMOS CFD7 superjunction N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 40 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
전력 손실 (TC=25°C) 227 W —
동작 온도 범위 -55°C to +150°C —
패키지 PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Integrated Body Diode Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode —
MSL 레벨 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Target Applications Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) —
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 650 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) — 50 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 41 mΩ
Power Dissipation (P_D, Tc=25°C) — 227 W
Gate-Source Voltage (V_GS) — ±20 V (max)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) — 4.5 V
Total Gate Charge (Q_G typ) — [DATA_NEEDED: Q_G value]
Body Diode Reverse Recovery (Q_rr) — [DATA_NEEDED: Q_rr value]
동작 접합 온도 — -55°C to +150°C
핀 수 — 3 (Gate / Drain / Source, tab = Drain)
할로겐 프리 — Yes
Series — CoolMOS™ CFD7

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