IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPB65R041CFD7ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPB60R040CFD7ATMA1 от Infineon и IPB65R041CFD7ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 - 600V 50A 40mΩ CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | IPB60R040CFD7ATMA1 | IPB65R041CFD7ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $5,19 | $2,92 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolMOS CFD7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET | CoolMOS CFD7 superjunction N-channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 40 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 4 V | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Рассеиваемая мощность (TC=25°C) | 227 W | — |
| Диапазон рабочих температур | -55°C to +150°C | — |
| Корпус | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Integrated Body Diode | Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode | — |
| Уровень MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Target Applications | Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS max) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) | — | 50 A |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | — | 41 mΩ |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25°C) | — | 227 W |
| Gate-Source Voltage (V_GS) | — | ±20 V (max) |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) | — | 4.5 V |
| Total Gate Charge (Q_G typ) | — | [DATA_NEEDED: Q_G value] |
| Body Diode Reverse Recovery (Q_rr) | — | [DATA_NEEDED: Q_rr value] |
| Рабочая температура перехода | — | -55°C to +150°C |
| Число выводов | — | 3 (Gate / Drain / Source, tab = Drain) |
| Без галогенов | — | Yes |
| Series | — | CoolMOS™ CFD7 |