IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPB65R041CFD7ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPB60R040CFD7ATMA1 メーカー: Infineon および IPB65R041CFD7ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1 - 600V 50A 40mΩ CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPB60R040CFD7ATMA1 - 600V 50A 40mΩ CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPB60R040CFD7ATMA1 ✓ 生産中
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IPB65R041CFD7ATMA1 IPB65R041CFD7ATMA1 - 650V 41mΩ CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPB65R041CFD7ATMA1 - 650V 41mΩ CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPB65R041CFD7ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPB60R040CFD7ATMA1 IPB65R041CFD7ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $5.19 $2.92
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS CFD7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET CoolMOS CFD7 superjunction N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 40 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
消費電力(TC=25°C) 227 W —
動作温度範囲 -55°C to +150°C —
パッケージ PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Integrated Body Diode Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode —
MSLレベル 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Target Applications Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) —
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 650 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) — 50 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 41 mΩ
Power Dissipation (P_D, Tc=25°C) — 227 W
Gate-Source Voltage (V_GS) — ±20 V (max)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) — 4.5 V
Total Gate Charge (Q_G typ) — [DATA_NEEDED: Q_G value]
Body Diode Reverse Recovery (Q_rr) — [DATA_NEEDED: Q_rr value]
動作接合温度 — -55°C to +150°C
ピン数 — 3 (Gate / Drain / Source, tab = Drain)
ハロゲンフリー — Yes
Series — CoolMOS™ CFD7

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