IPC100N04S5L1R1ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPC100N04S5L1R1ATMA1 por Infineon y ISC011N04NM7VATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
ISC011N04NM7VATMA1 ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

ISC011N04NM7VATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPC100N04S5L1R1ATMA1 ISC011N04NM7VATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,86 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-5 40 V OptiMOS 7 Power-Transistor
Tipo de transistor N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A 256 A
On-Resistance RDS(on) max 1.1 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Logic Level —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C (TJ)
Encapsulado PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) PG-TDSON-8 (source-down)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL MSL1 (unlimited floor life, 260 °C peak reflow) MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Tested 100% avalanche tested —
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) Compliant (per Infineon product page)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Technology — Trench MOSFET, silicon
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)

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