IPC100N04S5L1R1ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPC100N04S5L1R1ATMA1 por Infineon e ISC011N04NM7VATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPC100N04S5L1R1ATMA1 ISC011N04NM7VATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,86 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-5 40 V OptiMOS 7 Power-Transistor
Tipo de transistor N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A 256 A
On-Resistance RDS(on) max 1.1 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Logic Level —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C (TJ)
Encapsulamento PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) PG-TDSON-8 (source-down)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL MSL1 (unlimited floor life, 260 °C peak reflow) MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Tested 100% avalanche tested —
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) Compliant (per Infineon product page)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Technology — Trench MOSFET, silicon
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)

Fichas técnicas e recursos

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