IPC100N04S5L1R1ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPC100N04S5L1R1ATMA1 par Infineon et ISC011N04NM7VATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPC100N04S5L1R1ATMA1 ISC011N04NM7VATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,86 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-5 40 V OptiMOS 7 Power-Transistor
Type de transistor N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A 256 A
On-Resistance RDS(on) max 1.1 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Logic Level —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C (TJ)
Boîtier PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) PG-TDSON-8 (source-down)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL MSL1 (unlimited floor life, 260 °C peak reflow) MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Tested 100% avalanche tested —
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) Compliant (per Infineon product page)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Technology — Trench MOSFET, silicon
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)

Fiches techniques et ressources

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