IPD50N06S409ATMA2 vs IPD053N06NATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD50N06S409ATMA2 por Infineon y IPD053N06NATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD50N06S409ATMA2 IPD053N06NATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,49 $0,52
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS) OptiMOS 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 50 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V 9 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (Pd) at Tc 71 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 °C to +175 °C —
Encapsulado PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK-2), Surface Mount
Recuento de pines 3 (2 + Tab) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free [DATA_NEEDED] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Series — OptiMOS 5 60V
Transistor Polarity — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) — +/- 20 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 45 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 18 A
On-State Resistance (RDS(on), max) — 5.3 mOhm @ VGS=10V
Power Dissipation (Tc) — 83 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +175C (Tj) [DATA_NEEDED: precise operating range min/max from datasheet]

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