IPD50N06S409ATMA2 vs IPD053N06NATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD50N06S409ATMA2 par Infineon et IPD053N06NATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPD50N06S409ATMA2 | IPD053N06NATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,49 | $0,52 |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS) | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 50 A | — |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | 9 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 71 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK-2), Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 (2 + Tab) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | [DATA_NEEDED] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Series | — | OptiMOS 5 60V |
| Transistor Polarity | — | N-Channel |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/- 20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 45 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 18 A |
| On-State Resistance (RDS(on), max) | — | 5.3 mOhm @ VGS=10V |
| Power Dissipation (Tc) | — | 83 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +175C (Tj) [DATA_NEEDED: precise operating range min/max from datasheet] |