IPD50N06S409ATMA2 vs IPD053N06NATMA1 比較

詳細な並列比較: IPD50N06S409ATMA2 メーカー: Infineon および IPD053N06NATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 - 60V 50A 9mΩ OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD50N06S409ATMA2 - 60V 50A 9mΩ OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD50N06S409ATMA2 ✓ 生産中
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IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 - 60V 45A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IPD053N06NATMA1 - 60V 45A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IPD053N06NATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD50N06S409ATMA2 IPD053N06NATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.49 $0.52
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS) OptiMOS 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 50 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V 9 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (Pd) at Tc 71 W —
動作接合温度 -55 °C to +175 °C —
パッケージ PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK-2), Surface Mount
ピン数 3 (2 + Tab) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free [DATA_NEEDED] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Series — OptiMOS 5 60V
Transistor Polarity — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) — +/- 20 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 45 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 18 A
On-State Resistance (RDS(on), max) — 5.3 mOhm @ VGS=10V
Power Dissipation (Tc) — 83 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
動作温度範囲 — -55C to +175C (Tj) [DATA_NEEDED: precise operating range min/max from datasheet]

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