IPD50N06S409ATMA2 vs IPD11DP10NMATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de IPD50N06S409ATMA2 por Infineon y IPD11DP10NMATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | IPD50N06S409ATMA2 | IPD11DP10NMATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,49 | $0,62 |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS) | OptiMOS™ Trench |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 50 A | — |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | 9 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 4 V (typ at 1.7 mA) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 71 W | — |
| Temperatura de unión de funcionamiento | -55 °C to +175 °C | — |
| Encapsulado | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Recuento de pines | 3 (2 + Tab) | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | [DATA_NEEDED] | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 3.4 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 22 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 125 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 111 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) at ID=18A, VGS=10V | — | 111 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | — | 74 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 230 pF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 63 pF |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -55 °C to +175 °C |