IPD50N06S409ATMA2 vs IPD11DP10NMATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD50N06S409ATMA2 por Infineon e IPD11DP10NMATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IPD11DP10NMATMA1 IPD11DP10NMATMA1 - 100V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD11DP10NMATMA1 - 100V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD11DP10NMATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IPD50N06S409ATMA2 IPD11DP10NMATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,49 $0,62
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS) OptiMOS™ Trench
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 50 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V 9 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] 4 V (typ at 1.7 mA)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (Pd) at Tc 71 W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Contagem de pinos 3 (2 + Tab) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free [DATA_NEEDED] —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (Ta) — 3.4 A
Continuous Drain Current (Tc) — 22 A
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 125 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 111 mΩ
On-Resistance RDS(on) at ID=18A, VGS=10V — 111 mΩ
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 74 nC
Input Capacitance (Ciss) — 230 pF
Output Capacitance (Coss) — 63 pF
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +175 °C

Fichas técnicas e recursos

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