IPD50N06S409ATMA2 vs IPD11DP10NMATMA1 比較

詳細な並列比較: IPD50N06S409ATMA2 メーカー: Infineon および IPD11DP10NMATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 - 60V 50A 9mΩ OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD50N06S409ATMA2 - 60V 50A 9mΩ OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD50N06S409ATMA2 ✓ 生産中
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IPD11DP10NMATMA1 IPD11DP10NMATMA1 - 100V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD11DP10NMATMA1 - 100V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD11DP10NMATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD50N06S409ATMA2 IPD11DP10NMATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.49 $0.62
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS) OptiMOS™ Trench
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 50 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V 9 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] 4 V (typ at 1.7 mA)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (Pd) at Tc 71 W —
動作接合温度 -55 °C to +175 °C —
パッケージ PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
ピン数 3 (2 + Tab) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free [DATA_NEEDED] —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (Ta) — 3.4 A
Continuous Drain Current (Tc) — 22 A
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 125 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 111 mΩ
On-Resistance RDS(on) at ID=18A, VGS=10V — 111 mΩ
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 74 nC
Input Capacitance (Ciss) — 230 pF
Output Capacitance (Coss) — 63 pF
動作温度範囲 — -55 °C to +175 °C

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