IPD60R280P7SAUMA1 vs IPL65R070C7AUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD60R280P7SAUMA1 por Infineon y IPL65R070C7AUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPD60R280P7SAUMA1 IPD60R280P7SAUMA1 - 600V 280mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R280P7SAUMA1 - 600V 280mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R280P7SAUMA1 ✓ Activo
Infineon
IPL65R070C7AUMA1 IPL65R070C7AUMA1 - 650V 70mΩ CoolMOS C7 MOSFET | Infineon

IPL65R070C7AUMA1 - 650V 70mΩ CoolMOS C7 MOSFET | Infineon

IPL65R070C7AUMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD60R280P7SAUMA1 IPL65R070C7AUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,48 $1,68
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 650 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 12 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 280 mΩ (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V max @ ID = 190 µA [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Total Power Dissipation (Ptot, Tc) 53 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -40 °C to +150 °C —
Technology CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel Superjunction N-Channel MOSFET
Encapsulado PG-TO252-3 (DPAK) PG-VSON-4 (surface mount)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Series CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) CoolMOS C7
Estado RoHS Compliant Compliant
Integrated ESD Protection Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 70 mΩ (typical)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 169 W
Avalanche Energy (EAS) — 171 mJ
Temperatura de unión de funcionamiento — -55°C to +150°C
Configuration — Single with built-in diode
Channel Type — N-Channel
Lead-Free — Yes

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