IPD60R280P7SAUMA1 vs IPL65R070C7AUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD60R280P7SAUMA1 par Infineon et IPL65R070C7AUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD60R280P7SAUMA1 IPL65R070C7AUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,48 $1,68
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 650 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 12 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 280 mΩ (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V max @ ID = 190 µA [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Total Power Dissipation (Ptot, Tc) 53 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -40 °C to +150 °C —
Technology CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel Superjunction N-Channel MOSFET
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK) PG-VSON-4 (surface mount)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Series CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) CoolMOS C7
Statut RoHS Compliant Compliant
Integrated ESD Protection Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 70 mΩ (typical)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 169 W
Avalanche Energy (EAS) — 171 mJ
Température de jonction en fonctionnement — -55°C to +150°C
Configuration — Single with built-in diode
Channel Type — N-Channel
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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