IPD60R280P7SAUMA1 vs IPL65R070C7AUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD60R280P7SAUMA1 por Infineon e IPL65R070C7AUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD60R280P7SAUMA1 IPL65R070C7AUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $1,68
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 650 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 12 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 280 mΩ (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V max @ ID = 190 µA [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Total Power Dissipation (Ptot, Tc) 53 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -40 °C to +150 °C —
Technology CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel Superjunction N-Channel MOSFET
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK) PG-VSON-4 (surface mount)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Series CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) CoolMOS C7
Status RoHS Compliant Compliant
Integrated ESD Protection Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 70 mΩ (typical)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 169 W
Avalanche Energy (EAS) — 171 mJ
Temperatura de junção de operação — -55°C to +150°C
Configuration — Single with built-in diode
Channel Type — N-Channel
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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