IPD60R360P7SAUMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD60R360P7SAUMA1 por Infineon y IPL60R105P7AUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD60R360P7SAUMA1 IPL60R105P7AUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,65 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS P7
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 9 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 360 mOhm (typ, VGS = 10 V) —
Power Dissipation (PD) at TC 41 W —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.0 V to 4.5 V (typ) —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Encapsulado / Carcasa PG-TO252-3 (DPAK) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Número de pines 3 —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction) -55C to +150C
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Channel Type N-Channel N-Channel
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
Encapsulado — PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
Sin halógenos — Yes
Lead-Free — Yes

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