IPD60R360P7SAUMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD60R360P7SAUMA1 par Infineon et IPL60R105P7AUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD60R360P7SAUMA1 IPL60R105P7AUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,65 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS P7
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 9 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 360 mOhm (typ, VGS = 10 V) —
Power Dissipation (PD) at TC 41 W —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.0 V to 4.5 V (typ) —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Boîtier / Format PG-TO252-3 (DPAK) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction) -55C to +150C
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Channel Type N-Channel N-Channel
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
Boîtier — PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
Sans halogène — Yes
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis