IPD60R360P7SAUMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD60R360P7SAUMA1 por Infineon e IPL60R105P7AUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD60R360P7SAUMA1 IPL60R105P7AUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,65 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS P7
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 9 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 360 mOhm (typ, VGS = 10 V) —
Power Dissipation (PD) at TC 41 W —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.0 V to 4.5 V (typ) —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Encapsulamento / Caixa PG-TO252-3 (DPAK) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Número de pinos 3 —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) -55C to +150C
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Channel Type N-Channel N-Channel
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
Encapsulamento — PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
Livre de halogênio — Yes
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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