IPD60R380C6ATMA1 vs IPD65R225C7ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD60R380C6ATMA1 por Infineon y IPD65R225C7ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD60R380C6ATMA1 IPD65R225C7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,41 $1,34
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 10.6 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 380 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 83 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -55C to +150C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature] —
Technology CoolMOS C6 Superjunction Super-junction (SJ) / CoolMOS
FET Type N-Channel —
Encapsulado PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Estado RoHS Compliant Compliant
Drain-Tab Connection Exposed pad (electrically connected to drain) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS C7
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDSS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 11 A
Power Dissipation (PD) at TC — 63 W
On-Resistance RDS(on) max — 225 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V (max)
Rango de temperatura de funcionamiento — -55°C to +150°C
Número de pines — 3 (2 + tab)
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)

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