IPD60R380C6ATMA1 vs IPD65R225C7ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPD60R380C6ATMA1 от Infineon и IPD65R225C7ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 - 600V CoolMOS C6 N-Channel MOSFET | Infineon

IPD60R380C6ATMA1 - 600V CoolMOS C6 N-Channel MOSFET | Infineon

IPD60R380C6ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IPD65R225C7ATMA1 IPD65R225C7ATMA1 - 650V 225mΩ 11A CoolMOS C7 N-FET | Infineon

IPD65R225C7ATMA1 - 650V 225mΩ 11A CoolMOS C7 N-FET | Infineon

IPD65R225C7ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPD60R380C6ATMA1 IPD65R225C7ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,41 $1,34
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 10.6 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 380 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 83 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -55C to +150C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature] —
Technology CoolMOS C6 Superjunction Super-junction (SJ) / CoolMOS
FET Type N-Channel —
Корпус PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Статус RoHS Compliant Compliant
Drain-Tab Connection Exposed pad (electrically connected to drain) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS C7
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDSS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 11 A
Power Dissipation (PD) at TC — 63 W
On-Resistance RDS(on) max — 225 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V (max)
Диапазон рабочих температур — -55°C to +150°C
Количество выводов — 3 (2 + tab)
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену