IPD80R600P7ATMA1 vs IPD068N10N3GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD80R600P7ATMA1 por Infineon y IPD068N10N3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD80R600P7ATMA1 IPD068N10N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,92 $0,65
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 8 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 22 A —
On-Resistance (RDS(on), max) 600 mΩ at VGS=10V —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 60 W (Tc) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V (typical) —
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) ±30 V —
Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) 20 mJ —
Avalanche Energy, Repetitive (EAR) 0.17 mJ —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +150 C —
Encapsulado PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology CoolMOS P7 super-junction OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode)
Polarity N-Channel —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPD068N10N3GATMA1
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
On-Resistance RDS(on) max — 6.8 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc — 150 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 4.0 V (typical)
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 C to +175 C
Channel Type — N-Channel
Configuration — Single
Estado RoHS — Compliant
Packing — Tape & Reel (T/R)
Qualification — Industrial (non-automotive)

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