IPD80R600P7ATMA1 vs IPD068N10N3GATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPD80R600P7ATMA1 от Infineon и IPD068N10N3GATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IPD068N10N3GATMA1 - 100V 90A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPD068N10N3GATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IPD80R600P7ATMA1 | IPD068N10N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,92 | $0,65 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 8 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 22 A | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 600 mΩ at VGS=10V | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 60 W (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V (typical) | — |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | ±30 V | — |
| Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) | 20 mJ | — |
| Avalanche Energy, Repetitive (EAR) | 0.17 mJ | — |
| Диапазон рабочих температур | -55 C to +150 C | — |
| Корпус | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CoolMOS P7 super-junction | OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) |
| Polarity | N-Channel | — |
| Уровень MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPD068N10N3GATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 90 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 6.8 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 150 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 2.0 V to 4.0 V (typical) |
| Рабочая температура перехода | — | -55 C to +175 C |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| Packing | — | Tape & Reel (T/R) |
| Qualification | — | Industrial (non-automotive) |