IPD80R600P7ATMA1 vs IPD068N10N3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD80R600P7ATMA1 par Infineon et IPD068N10N3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD80R600P7ATMA1 IPD068N10N3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,92 $0,65
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 8 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 22 A —
On-Resistance (RDS(on), max) 600 mΩ at VGS=10V —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 60 W (Tc) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V (typical) —
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) ±30 V —
Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) 20 mJ —
Avalanche Energy, Repetitive (EAR) 0.17 mJ —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C —
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology CoolMOS P7 super-junction OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode)
Polarity N-Channel —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPD068N10N3GATMA1
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
On-Resistance RDS(on) max — 6.8 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc — 150 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 4.0 V (typical)
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +175 C
Channel Type — N-Channel
Configuration — Single
Statut RoHS — Compliant
Packing — Tape & Reel (T/R)
Qualification — Industrial (non-automotive)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis