IPD80R600P7ATMA1 vs IPD068N10N3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD80R600P7ATMA1 por Infineon e IPD068N10N3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD80R600P7ATMA1 IPD068N10N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,92 $0,65
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 8 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 22 A —
On-Resistance (RDS(on), max) 600 mΩ at VGS=10V —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 60 W (Tc) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V (typical) —
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) ±30 V —
Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) 20 mJ —
Avalanche Energy, Repetitive (EAR) 0.17 mJ —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C —
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology CoolMOS P7 super-junction OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode)
Polarity N-Channel —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPD068N10N3GATMA1
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
On-Resistance RDS(on) max — 6.8 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc — 150 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 4.0 V (typical)
Temperatura de junção de operação — -55 C to +175 C
Channel Type — N-Channel
Configuration — Single
Status RoHS — Compliant
Packing — Tape & Reel (T/R)
Qualification — Industrial (non-automotive)

Fichas técnicas e recursos

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