IPD90P04P405ATMA2 vs BSZ018NE2LSATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD90P04P405ATMA2 por Infineon y BSZ018NE2LSATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD90P04P405ATMA2 BSZ018NE2LSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,69 $0,31
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -40 V 25 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) -90 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD, Tc) 125 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V 4.7 mΩ (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C (Tj) -55C to +150C
Encapsulado PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 3 (Gate, Drain, Source) —
Process Technology OptiMOS-P2 (trench + field plate) —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Estado RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 25V
Technology — N-Channel Trench MOSFET
Continuous Drain Current (TA) — 23 A
Continuous Drain Current (TC) — 40 A
Power Dissipation (TA) — 2.1 W
Power Dissipation (TC) — 69 W
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V]
Lead-Free — Yes
Sin halógenos — Yes

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